Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 870 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET Nej PMGD280UN,115
- RS-varenummer:
- 725-8329
- Producentens varenummer:
- PMGD280UN,115
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 44,82
(ekskl. moms)
Kr. 56,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 2.240 enhed(er) afsendes fra 09. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 2,241 | Kr. 44,82 |
| 100 - 180 | Kr. 2,017 | Kr. 40,34 |
| 200 + | Kr. 1,793 | Kr. 35,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 725-8329
- Producentens varenummer:
- PMGD280UN,115
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 870mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 340mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.83V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.89nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 400mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 870mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 340mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.83V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.89nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 400mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Dobbelt N-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 870 mA 20 V SOT-363 PMGD280UN,115
- Nexperia N-Kanal 860 mA 20 V SOT-363 PMGD290XN,115
- Nexperia N-Kanal 320 mA 60 V SOT-363 BSS138PS,115
- Nexperia N-Kanal 350 mA 30 V SOT-363 NX3008NBKS,115
- Nexperia N-Kanal 320 mA 60 V SOT-363 2N7002PS,115
- Nexperia N-Kanal 300 mA 60 V SOT-363 2N7002BKS,115
- Nexperia P-Kanal 160 mA 50 V SOT-363 BSS84AKS,115
- Nexperia N/P-Kanal-Kanal 200 mA 6 ben115
