Nexperia 2 Type P-Kanal Dobbelt, Grav MOSFET, 500 mA -20 V Forbedring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET
- RS-varenummer:
- 152-8344
- Producentens varenummer:
- PMDXB950UPELZ
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 67,48
(ekskl. moms)
Kr. 84,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 7.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 2,699 | Kr. 67,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 152-8344
- Producentens varenummer:
- PMDXB950UPELZ
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Grav MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 500mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | -20V | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.19nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4025mW | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.05mm | |
| Højde | 0.36mm | |
| Længde | 1.15mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Grav MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 500mA | ||
Drain source spænding maks. Vds -20V | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.19nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4025mW | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.05mm | ||
Højde 0.36mm | ||
Længde 1.15mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanals MOSFET'er, det perfekte valg til dit design, når N-kanaler ganske enkelt ikke er velegnede. Vores omfattende MOSFET-katalog indeholder også mange serier med P-kanals enheder, der er baseret på Nexperias førende Trench-teknologi. De har mærkeværdi fra 12 V til 70 V og er kapslet i laveffekts og mediumeffekts huse, og de har vores velkendte blanding af høj effektivitet og høj pålidelighed.
20 V, dobbelt P-kanals Trench MOSFET, dobbelt P-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et meget lille ledningsfrit overflademonteret (SMD) DFN1010B-6-plasthus (SOT1216) med Trench MOSFET-teknologi.
Lille lækstrøm
Trench MOSFET-teknologi
Meget lille og slankt SMD-plasthus uden ledning: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Frilagt drænpude for fremragende termisk ledeevne
Beskyttelse mod elektrostatisk udladning (ESD) > 1 kV HBM
Drain-source on-state modstand RDSon = 1,02 Ω
Relædriver
Højhastigheds linjedriver
Høj-side belastningsomskifter
Koblingskredsløb
Relaterede links
- Nexperia 2 Type P-Kanal Dobbelt 500 mA -20 V Forbedring DFN, Trench MOSFET
- Nexperia 2 N-Kanal Dobbelt 260 mA 60 V Forbedring DFN, Trench MOSFET
- Nexperia 2 N-Kanal Dobbelt 180 mA 30 V Forbedring TSSOP, NX3020NAKS
- Nexperia 2 Type P Grav MOSFET 6 Ben NX3008CBKS AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal 3.5 A 20 V Forbedring SOT-23, PMV48XP
- Nexperia 2 Type P-Kanal Isoleret 160 mA 50 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal -2.4 A -30 V Forbedring DFN
- Nexperia Type P-Kanal -3.2 A -12 V Forbedring DFN