onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt, Småsignal, 910 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101 NTJD4401NT1G
- RS-varenummer:
- 184-1229
- Producentens varenummer:
- NTJD4401NT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 123,00
(ekskl. moms)
Kr. 154,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | Kr. 1,23 | Kr. 123,00 |
| 500 - 900 | Kr. 1,06 | Kr. 106,00 |
| 1000 + | Kr. 0,919 | Kr. 91,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 184-1229
- Producentens varenummer:
- NTJD4401NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Småsignal | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 910mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 440mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.76V | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 550mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.3nC | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Længde | 2.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Småsignal | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 910mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 440mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.76V | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 550mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.3nC | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Længde 2.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne N-kanal dobbeltenhed er designet med et lille hus (2 x 2 mm) med ON Semiconductors førende planar-proces, der giver lille bundareal og øget effektivitet. Det lave antal fordele er særligt velegnet til enkelt- eller dobbeltcellede li-ion-batterienheder som f.eks. mobiltelefoner, medieafspillere, digitalkameraer og PDA'er.
Lille sokkel (2 x 2 mm)
N-Kanal-Enhed Med Lav Gateopladning
ESD-beskyttet låge
Samme pakke som SC-70 (6 Afledninger)
Anvendelsesområder:
Skift Af Belastningseffekt
Li-Ion Batterienheder Medfølger
DC-DC-konvertering
Relaterede links
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 910 mA 20 V Forbedring SC-88 AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 250 mA 30 V Forbedring SC-88 AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 250 mA 30 V Forbedring SC-88 AEC-Q101 NTJD4001NT1G
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 200 mA 50 V Forbedring SC-88 AEC-Q101 AEC-Q200
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 300 mA 60 V Forbedring SC-88 AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 300 mA 60 V Forbedring SC-88 AEC-Q101 NTJD5121NT1G
- Nexperia 2 Type P Grav MOSFET 6 Ben NX3008CBKS AEC-Q101
- onsemi 2 Type N MOSFET 6 Ben, SC-88 AEC-Q101