ROHM N-kanal-Kanal, MOSFET, 3.9 A 1700 V, 7 Ben, TO
- RS-varenummer:
- 780-669P
- Producentens varenummer:
- SCT2H12NWBTL1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 433,90
(ekskl. moms)
Kr. 542,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 760 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 98 | Kr. 21,695 |
| 100 + | Kr. 17,495 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 780-669P
- Producentens varenummer:
- SCT2H12NWBTL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1700V | |
| Emballagetype | TO | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Portkildespænding maks. | 0V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.5mm | |
| Længde | 15.5mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bredde | 10.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1700V | ||
Emballagetype TO | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Portkildespænding maks. 0V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.5mm | ||
Længde 15.5mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bredde 10.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM siliciumkarbid-MOSFET leverer højtydende N-kanalswitching til industriel strømstyring med høj spænding. Denne avancerede SiC-enhed er udviklet til hjælpestrømforsyninger, hvilket sikrer overlegen termisk ledningsevne og lavere skiftetab sammenlignet med traditionelle siliciumkomponenter.
Drain-til-kilde-spænding på 1700 V
Kontinuerlig afløbsstrøm på 3,9 A
1,15 ohm typisk modstand ved tænding
Høj effekttab på 39 W