Vishay N-Kanal, MOSFET til biler, 95 A 100 V MOSFET, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 790-421
- Producentens varenummer:
- SQJ112EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 103,22
(ekskl. moms)
Kr. 129,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 10,322 | Kr. 103,22 |
| 100 - 490 | Kr. 6,874 | Kr. 68,74 |
| 500 - 990 | Kr. 5,625 | Kr. 56,25 |
| 1000 - 2990 | Kr. 4,982 | Kr. 49,82 |
| 3000 + | Kr. 4,525 | Kr. 45,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 790-421
- Producentens varenummer:
- SQJ112EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET til biler | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 95A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8L | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0077Ω | |
| Kanalform | MOSFET | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 185W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET til biler | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 95A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8L | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0077Ω | ||
Kanalform MOSFET | ||
Effektafsættelse maks. Pd 185W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Automotive N-kanal MOSFET er mærket til 100 V, er designet til højeffektiv ydeevne i krævende anvendelser og sikrer pålidelig drift selv ved ekstreme temperaturer op til 175 °C.
TrenchFET Gen IV-teknologi optimerer koblingsegenskaber
AEC Q101-kvalificeret for pålidelighed i bilkvalitet
100 % R- og UIS-testet for øget holdbarhed
Kontinuerlig mærkestrøm på 95 A ved 25 °C
On-tilstandsmodstand på kun 0,0077 Ω ved 10 V
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 58 A 100 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 49 A 80 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Dual N-Kanal 21 A 60 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 350 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 98 A 150 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 99 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -128 A -80 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 85 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101