Vishay N-Kanal, MOSFET til biler, 58 A 100 V MOSFET, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 790-423
- Producentens varenummer:
- SQJ114EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 89,31
(ekskl. moms)
Kr. 111,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 8,931 | Kr. 89,31 |
| 100 - 490 | Kr. 5,842 | Kr. 58,42 |
| 500 - 990 | Kr. 4,653 | Kr. 46,53 |
| 1000 - 2990 | Kr. 4,121 | Kr. 41,21 |
| 3000 + | Kr. 3,59 | Kr. 35,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 790-423
- Producentens varenummer:
- SQJ114EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET til biler | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8L | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0119Ω | |
| Kanalform | MOSFET | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 75nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 115W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET til biler | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8L | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0119Ω | ||
Kanalform MOSFET | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 75nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 115W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Automotive N-kanal MOSFET leverer overlegen ydeevne som en strømkontaktenhed. Den er designet til højeffektive anvendelser og giver fremragende termisk ydeevne og drevkapacitet.
PowerPAK SO-8L-pakke til kompakt design
AEC Q101-kvalificeret til brug i biler
Drain-source mærkespænding på 100 V sikrer pålidelighed
Ultra-lav on-state modstand på 0,0119 Ω ved 10 V forbedrer effektiviteten
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 95 A 100 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 49 A 80 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Dual N-Kanal 21 A 60 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 350 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 98 A 150 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 99 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -128 A -80 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 85 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101