STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 96 A 60 V Forbedringstilstand, 8 Ben, PowerFLAT, STH285N10F8-6AG
- RS-varenummer:
- 800-463
- Producentens varenummer:
- STL130N6LF7
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 3,14
(ekskl. moms)
Kr. 3,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 5999 | Kr. 3,14 |
| 6000 - 8999 | Kr. 3,07 |
| 9000 + | Kr. 2,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 800-463
- Producentens varenummer:
- STL130N6LF7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 96A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Serie | STH285N10F8-6AG | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 93W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.4nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | ECOPACK | |
| Længde | 6mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 96A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Serie STH285N10F8-6AG | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.8mΩ | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Effektafsættelse maks. Pd 93W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.4nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 5mm | ||
Standarder/godkendelser ECOPACK | ||
Længde 6mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET udnytter STripFET F7-teknologi med en forbedret trinch-gate-struktur, der resulterer i en meget lav modstand i tændt tilstand, samtidig med at den interne kapacitet og gate-ladning reduceres for hurtigere og mere effektiv omskiftning.
Blandt de laveste RDS(on) på markedet
Fremragende FoM (fortjensttal)
Lavt Crss/Ciss-forhold for EMI-immunitet
Høj lavine-robusthed
Logisk niveau VGS(th)
Relaterede links
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 292 A 100 V Forbedringstilstand H2PAK, STH285N10F8-6AG AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 6 A 1200 V Forbedringstilstand H2PAK-2, STH285N10F8-6AG
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 58 A 650 V Forbedringstilstand PG-TO-247, STH285N10F8-6AG
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 292 A 100 V Forbedringstilstand H2PAK-2, STH285N10F8-2AG
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 292 A 100 V Forbedringstilstand H2PAK, STH280N10F8-6
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 292 A 100 V Forbedringstilstand H2PAK-2, STH280N10F8-2
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 268 A 60 V Forbedring PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 144 A 40 V Forbedring PowerFLAT, Stl