STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 58 A 650 V Forbedringstilstand, 4 Ben, PG-TO-247, STH285N10F8-6AG
- RS-varenummer:
- 800-466
- Producentens varenummer:
- STW65N040M9-4
- Brand:
- STMicroelectronics
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 57,30
(ekskl. moms)
Kr. 71,62
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 57,30 |
| 10 - 49 | Kr. 55,58 |
| 50 - 99 | Kr. 53,86 |
| 100 + | Kr. 46,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 800-466
- Producentens varenummer:
- STW65N040M9-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-TO-247 | |
| Serie | STH285N10F8-6AG | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 37mΩ | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 321W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 21.1mm | |
| Bredde | 5.1mm | |
| Standarder/godkendelser | ECOPACK | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-TO-247 | ||
Serie STH285N10F8-6AG | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 37mΩ | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 321W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 21.1mm | ||
Bredde 5.1mm | ||
Standarder/godkendelser ECOPACK | ||
Længde 15.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals effekt MOSFET er baseret på den mest innovative super-junction MDmesh M9-teknologi, der er velegnet til mellem-/højspændings MOSFET'er med meget lav RDS(on) pr. område.
Meget lav FOM (RDS(on)·Qg)
Højere dv/dt-kapacitet
Fremragende skifteydelse
Let at køre
100% lavine testet
Fremragende skifteydelse takket være den ekstra drivkildestift