STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 58 A 650 V Forbedringstilstand, 4 Ben, PG-TO-247, STH285N10F8-6AG

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 42,34

(ekskl. moms)

Kr. 52,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 1199Kr. 42,34
1200 +Kr. 37,18

*Vejledende pris

RS-varenummer:
800-466
Producentens varenummer:
STW65N040M9-4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

58A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

STH285N10F8-6AG

Emballagetype

PG-TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

37mΩ

Kanalform

Forbedringstilstand

Effektafsættelse maks. Pd

321W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

110nC

Portkildespænding maks.

30V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

ECOPACK

Højde

21.1mm

Længde

15.9mm

Bredde

5.1mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N-kanals effekt MOSFET er baseret på den mest innovative super-junction MDmesh M9-teknologi, der er velegnet til mellem-/højspændings MOSFET'er med meget lav RDS(on) pr. område.

Meget lav FOM (RDS(on)·Qg)

Højere dv/dt-kapacitet

Fremragende skifteydelse

Let at køre

100% lavine testet

Fremragende skifteydelse takket være den ekstra drivkildestift

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.