Vishay N-kanal-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 149 A 80 V Forbedringstilstand, 8 Ben, P, SI
- RS-varenummer:
- 829-365
- Producentens varenummer:
- SIR580LDP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 17,05
(ekskl. moms)
Kr. 21,31
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 17,05 |
| 10 - 99 | Kr. 10,85 |
| 100 - 499 | Kr. 7,48 |
| 500 - 999 | Kr. 6,28 |
| 1000 + | Kr. 5,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 829-365
- Producentens varenummer:
- SIR580LDP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 149A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | P | |
| Serie | SI | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0026Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.15mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Højde | 1.04mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 149A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype P | ||
Serie SI | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0026Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.15mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bredde 5.15mm | ||
Højde 1.04mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay N-kanal MOSFET, der er designet til højeffektive omskiftningsanvendelser, giver robust ydeevne under krævende forhold med sin lave modstand ved on-state og omfattende testcertificeringer.
Mærket til en drain-kilde-spænding på 80 V, hvilket sikrer pålidelig drift under forskellige forhold
Har en maksimal modstand ved tænding på kun 0,0026 ohm ved 10 V, hvilket fremmer energieffektivitet
Indeholder en lav gate-tærskelspænding på 1 til 2,5 V, hvilket forbedrer kompatibiliteten med en bred vifte af kredsløb
Giver en robust kontinuerlig afløbsstrøm på 149 A, velegnet til anvendelser med høj effekt