STMicroelectronics N-kanal-Kanal, MOSFET, 56 A 250 V Forbedringstilstand, 3 Ben, TO-263, STB Series
- RS-varenummer:
- 839-144
- Producentens varenummer:
- STB25N018M9
- Brand:
- STMicroelectronics
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 41,29
(ekskl. moms)
Kr. 51,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 41,29 |
| 10 - 99 | Kr. 27,08 |
| 100 - 499 | Kr. 20,05 |
| 500 - 999 | Kr. 18,03 |
| 1000 + | Kr. 15,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 839-144
- Producentens varenummer:
- STB25N018M9
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 56A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | STB Series | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 18mΩ | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 320W | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 85nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.3mm | |
| Standarder/godkendelser | ROHS | |
| Højde | 4.5mm | |
| Bredde | 10mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 56A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie STB Series | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 18mΩ | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 320W | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 85nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.3mm | ||
Standarder/godkendelser ROHS | ||
Højde 4.5mm | ||
Bredde 10mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er en N-kanals super-junction-komponent, der er bygget på Advanced MDmesh M9-teknologi. Det muliggør mindre og mere kompakte layouts uden at gå på kompromis med termisk kapacitet.
D2PAK overflademonteret pakketype
Siliciumbaseret multi-drain-fremstillingsproces
Lav gate-opladning med fremragende effektivitet
Forbedret dv/dt-kapacitet og avalanche-testet