Vishay P-kanal-Kanal, MOSFET, -48 A -80 V P, 3 Ben, TO-252, SQ AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 878-894
- Producentens varenummer:
- SQD50P08-28_NE3
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 10,02
(ekskl. moms)
Kr. 12,52
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 10,02 |
| 10 - 99 | Kr. 7,63 |
| 100 - 499 | Kr. 7,55 |
| 500 - 999 | Kr. 7,48 |
| 1000 + | Kr. 7,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 878-894
- Producentens varenummer:
- SQD50P08-28_NE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | P-kanal | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -48A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -80V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | SQ | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.028Ω | |
| Kanalform | P | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 95nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 6.22mm | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bredde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype P-kanal | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -48A | ||
Drain source spænding maks. Vds -80V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie SQ | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.028Ω | ||
Kanalform P | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 95nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 6.22mm | ||
Højde 2.38mm | ||
Bredde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
Vishay P-kanal MOSFET leverer fremragende ydeevne med en maksimal drain-source-spænding på 80 V og en mærketemperatur på 175 °C. Denne komponent er designet til at forbedre effektiviteten i biler.
Halogenfri i overensstemmelse med IEC 61249-2-21
AEC-Q101-kvalificeret til pålidelighed i biler
Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 48 A, spidsbelastning på 190 A
Optimeret RDS(on) på 0,028 ohm ved VGS = -10 V
I overensstemmelse med RoHS-direktiv 2002/95/EF
Relaterede links
- Vishay P-kanal-Kanal -38 A -100 V P TO-252, SQ AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -20 A -60 V P TO-252, SQ AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 50 A 30 V Forbedring TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 11 A 60 V Forbedring TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -1.7 A -60 V P SOT-23, SQ AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -2.8 A -60 V P SOT-23, SQ AEC-Q101
- Vishay Enkelt N-Kanal 50 A 50 V Forbedring TO-252 AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TO-252, SQ Rugged AEC-Q101