Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SQ Rugged AEC-Q101 SQD40N06-14L_GE3
- RS-varenummer:
- 787-9484
- Producentens varenummer:
- SQD40N06-14L_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 66,57
(ekskl. moms)
Kr. 83,21
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- 35 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 1.960 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,314 | Kr. 66,57 |
| 50 - 120 | Kr. 11,998 | Kr. 59,99 |
| 125 - 245 | Kr. 11,324 | Kr. 56,62 |
| 250 - 495 | Kr. 10,666 | Kr. 53,33 |
| 500 + | Kr. 9,994 | Kr. 49,97 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9484
- Producentens varenummer:
- SQD40N06-14L_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 29mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie SQ Rugged | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 29mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.38mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, robust SQ-serie til bilindustrien, Vishay Semiconductor
SQ-serien af MOSFETer fra Vishay Semiconductor er designet til alle biler, der kræver robusthed og høj pålidelighed.
Fordelene ved SQ robust serie af Mosfets
• AEC-Q101 kvalificeret
• Forbindelsestemperatur op til +175 °C
• Lav modstand ved n- og p-kanal TrenchFET® teknologier
• Innovative pladsbesparende huse
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 40 A 60 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD40N06-14L-GE3
- Vishay N-Kanal 25 A 60 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD25N06-22L_GE3
- Vishay N-Kanal 100 A 40 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD100N04-3M6L_GE3
- Vishay N-Kanal 50 A 50 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD50N05-11L_GE3
- Vishay N-Kanal 50 A 40 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD50N04-4M5L-GE3
- Vishay P-Kanal 11 A 60 V DPAK (TO-252), SQ Rugged SQD19P06-60L_GE3
- Vishay P-Kanal 37 A 30 V DPAK (TO-252), SQ Rugged SQD45P03-12_GE3
- Vishay N-Kanal 12 A 60 V SOIC, SQ Rugged AEC-Q101 SQ4850EY-T1_GE3
