Vishay N-Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 787-9484
- Producentens varenummer:
- SQD40N06-14L_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 81,68
(ekskl. moms)
Kr. 102,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- 800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 630 enhed(er) afsendes fra 25. september 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 16,336 | Kr. 81,68 |
| 50 - 120 | Kr. 14,706 | Kr. 73,53 |
| 125 - 245 | Kr. 13,898 | Kr. 69,49 |
| 250 - 495 | Kr. 13,076 | Kr. 65,38 |
| 500 + | Kr. 12,268 | Kr. 61,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9484
- Producentens varenummer:
- SQD40N06-14L_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 29mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 29mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.38mm | ||
Bredde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, robust SQ-serie til bilindustrien, Vishay Semiconductor
SQ-serien af MOSFET’er fra Vishay Semiconductor er designet til alle biler, der kræver robusthed og høj pålidelighed.
Fordelene ved SQ robust serie af Mosfets
• AEC-Q101 kvalificeret
• Forbindelsestemperatur op til +175 °C
• Lav modstand ved n- og p-kanal TrenchFET® teknologier
• Innovative pladsbesparende huse
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101