Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, SQ Rugged AEC-Q101 SQ4850EY-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 819-3923
- Producentens varenummer:
- SQ4850EY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 163,82
(ekskl. moms)
Kr. 204,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.380 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 8,191 | Kr. 163,82 |
| 100 - 180 | Kr. 7,701 | Kr. 154,02 |
| 200 - 480 | Kr. 6,964 | Kr. 139,28 |
| 500 - 980 | Kr. 6,553 | Kr. 131,06 |
| 1000 + | Kr. 6,149 | Kr. 122,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 819-3923
- Producentens varenummer:
- SQ4850EY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 47mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6.8W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.55mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 47mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6.8W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.55mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel MOSFET, robust SQ-serie til bilindustrien, Vishay Semiconductor
SQ-serien af MOSFETer fra Vishay Semiconductor er designet til alle biler, der kræver robusthed og høj pålidelighed.
Fordelene ved SQ robust serie af Mosfets
• AEC-Q101 kvalificeret
• Forbindelsestemperatur op til +175 °C
• Lav modstand ved n- og p-kanal TrenchFET® teknologier
• Innovative pladsbesparende huse
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 17 A 40 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101 SQ4401EY-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 6.2 A 30 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101 SQ4431EY-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, SQ Rugged AEC-Q101 SQS462EN-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 6.2 A 30 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 8 A 20 V Forbedring TSOP, SQ Rugged AEC-Q101 SQ3460EV-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 7.4 A 40 V Forbedring TSOP-6, SQ Rugged AEC-Q101 SQ3419EV-T1_GE3
