Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 17 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, SQ Rugged AEC-Q101 SQ4401EY-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 819-3917
- Producentens varenummer:
- SQ4401EY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 177,50
(ekskl. moms)
Kr. 221,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 20 enhed(er) afsendes fra 13. januar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 17,75 | Kr. 177,50 |
| 50 - 90 | Kr. 14,197 | Kr. 141,97 |
| 100 - 240 | Kr. 12,424 | Kr. 124,24 |
| 250 - 490 | Kr. 11,527 | Kr. 115,27 |
| 500 + | Kr. 9,574 | Kr. 95,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 819-3917
- Producentens varenummer:
- SQ4401EY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 7.14W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 74nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4 mm | |
| Højde | 1.55mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 7.14W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 74nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4 mm | ||
Højde 1.55mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, SQ robust serie, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 17 A 40 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 6.2 A 30 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101 SQ4431EY-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101 SQ4850EY-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 6.2 A 30 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 7.4 A 40 V Forbedring TSOP-6, SQ Rugged AEC-Q101 SQ3419EV-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 3 A 12 V Forbedring SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101 SQ2315ES-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 8 A 20 V Forbedring TSOP, SQ Rugged AEC-Q101 SQ3460EV-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, SQ Rugged AEC-Q101 SQS462EN-T1_GE3