Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 6.2 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, SQ Rugged AEC-Q101 SQ4431EY-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 819-3920
- Producentens varenummer:
- SQ4431EY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 97,54
(ekskl. moms)
Kr. 121,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.420 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 4,877 | Kr. 97,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 819-3920
- Producentens varenummer:
- SQ4431EY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 52mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 4 mm | |
| Højde | 1.55mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie SQ Rugged | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 52mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 4 mm | ||
Højde 1.55mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, SQ robust serie, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 6.2 A 30 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 17 A 40 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101 SQ4401EY-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101 SQ4850EY-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 7.4 A 40 V Forbedring TSOP-6, SQ Rugged AEC-Q101 SQ3419EV-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 3 A 12 V Forbedring SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101 SQ2315ES-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 8 A 20 V Forbedring TSOP, SQ Rugged AEC-Q101 SQ3460EV-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, SQ Rugged AEC-Q101 SQS462EN-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 32 A 40 V Forbedring SO-8, SQ Rugged AEC-Q101 SQJ412EP-T1_GE3