Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 7.4 A 40 V Forbedring, 6 Ben, TSOP-6, SQ Rugged AEC-Q101 SQ3419EV-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 787-9452
- Producentens varenummer:
- SQ3419EV-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 12,65
(ekskl. moms)
Kr. 15,81
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.480 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 1,265 | Kr. 12,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9452
- Producentens varenummer:
- SQ3419EV-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Emballagetype | TSOP-6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 78mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±12 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.1mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Emballagetype TSOP-6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 78mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±12 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.1mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
P-kanal MOSFET, SQ robust serie, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 7 6 ben SQ Rugged SQ3419EV-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 8 A 20 V TSOP-6, SQ Rugged AEC-Q101 SQ3460EV-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 7 6 ben SQ Rugged AEC-Q101 SQ3456BEV-T1_GE3
- Vishay P-Kanal 6 8 ben SQ Rugged SQ4431EY-T1_GE3
- Vishay P-Kanal 17 A 40 V SOIC, SQ Rugged SQ4401EY-T1_GE3
- Vishay P-Kanal 3 A 12 V SOT-23, SQ Rugged SQ2315ES-T1_GE3
- Vishay P-Kanal 7 TSOP-6 SI3438DV-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 12 A 60 V SOIC, SQ Rugged AEC-Q101 SQ4850EY-T1_GE3