Vishay N-Kanal, MOSFET, 130 A 40 V N, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, SQ AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 878-896
- Producentens varenummer:
- SQJ144EP-T1_BE3
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 9,87
(ekskl. moms)
Kr. 12,34
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 9,87 |
| 10 - 99 | Kr. 6,13 |
| 100 - 499 | Kr. 4,34 |
| 500 - 999 | Kr. 3,59 |
| 1000 + | Kr. 3,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 878-896
- Producentens varenummer:
- SQJ144EP-T1_BE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 130A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SQ | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8L | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0046Ω | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 148W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 26nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 6.25mm | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 130A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SQ | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8L | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0046Ω | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 148W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 6.25mm | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay automotive N-kanal MOSFET er designet til højtydende omskiftningsanvendelser og tilbyder robuste funktioner til forskellige krævende miljøer. Med et kompakt PowerPAK SO-8L-hus sikrer den effektiv strømstyring.
TrenchFET Gen IV-teknologi optimerer koblingsegenskaber
AEC-Q101-kvalificeret til pålidelighed og ydeevne inden for bilindustrien
100 % R- og UIS-testet for øget holdbarhed
Min. drain-source-modstand i tændt tilstand på 0,0046 ohm ved 10 V
Høj kontinuerlig mærkestrøm på op til 130 A
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 330 A 40 V N PowerPAK SO-8L, SQ AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 130 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ144EP AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 210 A 80 V PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 410 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 243 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 60 A 80 V, PowerPAK SO-8L
- Vishay Dual N-Kanal 23.5 A 60 V Forbedring SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 66 A 80 V Forbedring PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101