Vishay Dual N-Kanal, MOSFET, 23.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8L, TrenchFET AEC-Q101

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 8,53

(ekskl. moms)

Kr. 10,66

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd
Pr bånd
1 +Kr. 8,53

*Vejledende pris

RS-varenummer:
736-655
Producentens varenummer:
SQJ968EP-T1_BE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Dual N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

23.5A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8L

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.134Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

42W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18.5nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

1.07mm

Bredde

6.15mm

Længde

5.13mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.