Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 50.3 A 80 V N, 8 Ben, 1212-8S, SiSS
- RS-varenummer:
- 878-900
- Producentens varenummer:
- SISS32ADN-T1-BE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 13,12
(ekskl. moms)
Kr. 16,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 13,12 |
| 10 - 24 | Kr. 8,57 |
| 25 - 99 | Kr. 5,07 |
| 100 - 499 | Kr. 4,90 |
| 500 + | Kr. 4,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 878-900
- Producentens varenummer:
- SISS32ADN-T1-BE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | SiSS | |
| Emballagetype | 1212-8S | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0087Ω | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65.7W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.83mm | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie SiSS | ||
Emballagetype 1212-8S | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0087Ω | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65.7W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.83mm | ||
Bredde 3.4mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay MOSFET leverer høj ydeevne i strømstyringsanvendelser. Den er designet til effektivitet og udmærker sig i synkron ensretning og som primær sidekontakt i DC/DC-konvertere, hvilket sikrer pålidelig energistyring.
TrenchFET Gen IV-teknologi giver forbedret effektivitet
Meget lav modstand i tændt tilstand minimerer effekttab
Omfattende test garanterer pålidelighed og ydeevne
Alsidigt husdesign passer til forskellige monteringskrav