Vishay N-Kanal, MOSFET, 50.3 A 80 V N, 8 Ben, 1212-8S, SiSS

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 15,11

(ekskl. moms)

Kr. 18,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Bånd
Pr bånd
1 - 9Kr. 15,11
10 - 99Kr. 7,11
100 - 499Kr. 6,36
500 - 999Kr. 5,01
1000 +Kr. 4,79

*Vejledende pris

RS-varenummer:
878-900
Producentens varenummer:
SISS32ADN-T1-BE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50.3A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

1212-8S

Serie

SiSS

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0087Ω

Kanalform

N

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.4mm

Højde

0.83mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

3.4mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
IL
Vishay MOSFET leverer høj ydeevne i strømstyringsanvendelser. Den er designet til effektivitet og udmærker sig i synkron ensretning og som primær sidekontakt i DC/DC-konvertere, hvilket sikrer pålidelig energistyring.

TrenchFET Gen IV-teknologi giver forbedret effektivitet

Meget lav modstand i tændt tilstand minimerer effekttab

Omfattende test garanterer pålidelighed og ydeevne

Alsidigt husdesign passer til forskellige monteringskrav

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.