STMicroelectronics Forbedringstilstand N-Kanal, Effekt MOSFET, 181 A 80 V N, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- RS-varenummer:
- 898-600
- Producentens varenummer:
- STL180N8F8
- Brand:
- STMicroelectronics
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 25,58
(ekskl. moms)
Kr. 31,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 25,58 |
| 10 - 99 | Kr. 16,68 |
| 100 - 499 | Kr. 11,74 |
| 500 - 999 | Kr. 9,87 |
| 1000 + | Kr. 9,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 898-600
- Producentens varenummer:
- STL180N8F8
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 181A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.3mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 85nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 167W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Forbedringstilstand | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | ECOPACK2 | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 5.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 181A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.3mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 85nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 167W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Forbedringstilstand | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 5mm | ||
Standarder/godkendelser ECOPACK2 | ||
Højde 1mm | ||
Længde 5.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanal-forbedringstilstand Power MOSFET er designet i STripFET F8-teknologi med en forbedret trench-portstruktur. Den sikrer en state-of-the-art fortjensttal for meget lav modstand i tændt tilstand, samtidig med at den reducerer interne kapacitans og portladning for hurtigere og mere effektiv omskiftning.
MSL1 kvalitet
100% lavine testet
Lav gate-opladning