Vishay P-kanal-Kanal, MOSFET, -30 A -30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 904-970
- Producentens varenummer:
- SQJ951EP-T1_NE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 14,96
(ekskl. moms)
Kr. 18,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 14,96 |
| 10 - 99 | Kr. 9,42 |
| 100 - 499 | Kr. 6,21 |
| 500 - 999 | Kr. 4,94 |
| 1000 + | Kr. 4,41 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 904-970
- Producentens varenummer:
- SQJ951EP-T1_NE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | P-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.017Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 56W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.15mm | |
| Standarder/godkendelser | ROHS | |
| Bredde | 5.13mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype P-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -30A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.017Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 56W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.15mm | ||
Standarder/godkendelser ROHS | ||
Bredde 5.13mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
Vishay højtydende dobbelt P-kanal MOSFET til biler er designet til effektiv strømstyring i anvendelser, der kræver robust ydeevne og termisk stabilitet.
AEC-Q101-kvalificeret til bilstandarder
TrenchFET-teknologi sikrer lav modstand ved tænding
Fuldt testet for pålidelighed under strenge forhold
Blyfri og halogenfri konstruktion understøtter miljøvenlighed