Vishay N-Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Forbedring, 6 Ben, TSOP-6, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 904-971
- Producentens varenummer:
- SI3462DV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 2,71
(ekskl. moms)
Kr. 3,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 2,71 |
| 25 - 99 | Kr. 1,75 |
| 100 + | Kr. 1,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 904-971
- Producentens varenummer:
- SI3462DV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TSOP-6 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.023Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4.2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | ROHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TSOP-6 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.023Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4.2W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser ROHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay Power MOSFET leverer fremragende ydeevne til omskiftningsanvendelser, giver pålidelig styring i krævende elektroniske kredsløb og sikrer effektiv drift i forskellige miljøer.
N-kanalstruktur understøtter effektiv omskiftning med minimal modstand i on-state
Maksimal mærkespænding til drain-kilde på 60 V forbedrer alsidigheden i anvendelsen
Lav gate-source tærskelspænding sikrer kompatibilitet med en bred vifte af drevkredsløb
Optimeret til termisk ydeevne med lav termisk modstand, hvilket forbedrer effektiviteten