Vishay N-Kanal, MOSFET, 14 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 904-972
- Producentens varenummer:
- SI7120BDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 2,97
(ekskl. moms)
Kr. 3,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 2,97 |
| 25 - 99 | Kr. 1,92 |
| 100 + | Kr. 1,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 904-972
- Producentens varenummer:
- SI7120BDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.021Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 19.8W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.3nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | ROHS | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.021Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 19.8W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.3nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser ROHS | ||
Bredde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay N-kanal MOSFET er designet til effektiv strømstyring og giver forbedret ydeevne i forskellige elektroniske anvendelser gennem avancerede funktioner og robust pålidelighed.
TrenchFET Gen IV-teknologi optimerer effektiviteten og reducerer effekttab
100 % testet for R og UIS, hvilket sikrer ensartet pålidelighed
Blyfri (Pb) konstruktion overholder miljøstandarder
Optimerede koblingsegenskaber understøtter højhastighedsanvendelser