STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 3.5 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 103-1574
- Producentens varenummer:
- STF5NK100Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme 8%
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.000,80
(ekskl. moms)
Kr. 1.251,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 20,016 | Kr. 1.000,80 | - |
| 250 - 450 | Kr. 18,236 | Kr. 911,80 | 8% |
| 500 + | Kr. 16,273 | Kr. 813,65 | 18% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 103-1574
- Producentens varenummer:
- STF5NK100Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1kV | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.7Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 30W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 9.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1kV | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.7Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 30W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 9.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 3.5 A 1 kV Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 3.5 A 1 kV Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 6.5 A 1 kV Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 2.5 A 1 kV Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 1.85 A 1 kV Forbedring IPAK SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 8.3 A 1 kV Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 13 A 1 kV Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220 SuperMESH