STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 6.5 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, TO-220 Nej
- RS-varenummer:
- 920-6579
- Producentens varenummer:
- STP8NK100Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.009,80
(ekskl. moms)
Kr. 1.262,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 700 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 20,196 | Kr. 1.009,80 |
| 100 - 450 | Kr. 16,118 | Kr. 805,90 |
| 500 - 950 | Kr. 14,38 | Kr. 719,00 |
| 1000 - 4950 | Kr. 12,137 | Kr. 606,85 |
| 5000 + | Kr. 11,633 | Kr. 581,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 920-6579
- Producentens varenummer:
- STP8NK100Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1kV | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.85Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 160W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 9.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1kV | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.85Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 160W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 9.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 6.5 A 1000 V TO-220 SuperMESH STP8NK100Z
- STMicroelectronics N-Kanal 6 3 ben MDmesh, SuperMESH STF8NK100Z
- STMicroelectronics N-Kanal 3 3 ben MDmesh, SuperMESH STP5NK100Z
- STMicroelectronics N-Kanal 3.5 A 1000 V TO-220 SuperMESH STP5NK100Z
- STMicroelectronics N-Kanal 3.5 A 1000 V TO-247 SuperMESH STW5NK100Z
- STMicroelectronics N-Kanal 3 3 ben MDmesh, SuperMESH STW5NK100Z
- STMicroelectronics N-Kanal 13 A 1000 V TO-247 SuperMESH STW13NK100Z
- STMicroelectronics N-Kanal 3.5 A 1000 V TO-220FP SuperMESH STF5NK100Z
