STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 1.85 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, IPAK, MDmesh, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 168-7526
- Producentens varenummer:
- STU2NK100Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 75 enheder)*
Kr. 362,925
(ekskl. moms)
Kr. 453,675
(inkl. moms)
Tilføj 150 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | Kr. 4,839 | Kr. 362,93 |
| 150 - 450 | Kr. 3,775 | Kr. 283,13 |
| 525 - 900 | Kr. 3,193 | Kr. 239,48 |
| 975 - 4950 | Kr. 2,662 | Kr. 199,65 |
| 5025 + | Kr. 2,506 | Kr. 187,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-7526
- Producentens varenummer:
- STU2NK100Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.85A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1kV | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 70W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 2.4 mm | |
| Højde | 6.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.85A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1kV | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Emballagetype IPAK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 70W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 2.4 mm | ||
Højde 6.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1.85 A 1 kV Forbedring IPAK
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 650 V Forbedring IPAK
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring IPAK
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1 A 600 V Forbedring IPAK
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.4 A 600 V Forbedring IPAK, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 600 V Forbedring IPAK (TO-251), MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 1 kV Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6.5 A 1 kV Forbedring TO-220