STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, MDmesh
- RS-varenummer:
- 103-1988
- Producentens varenummer:
- STD7NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 14.967,50
(ekskl. moms)
Kr. 18.710,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | Kr. 5,987 | Kr. 14.967,50 |
| 5000 + | Kr. 5,634 | Kr. 14.085,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 103-1988
- Producentens varenummer:
- STD7NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | MDmesh | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 900mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 45W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie MDmesh | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 900mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 45W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.6mm | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 600 V Forbedring TO-252, MDmesh Nej STD7NM60N
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-252, MDmesh M2 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-252, MDmesh II Nej STD13NM60N
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-252, MDmesh M2 Nej STD16N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 600 V DPAK (TO-252), MDmesh STB7ANM60N
- STMicroelectronics N-Kanal 2 3 ben MDmesh, SuperMESH STD3NK60ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 600 V DPAK (TO-252) SuperMESH STD4NK60ZT4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.5 A 650 V Forbedring TO-252, MDmesh M2 Nej