STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- RS-varenummer:
- 103-1991
- Producentens varenummer:
- STW26NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 150 flere for at gemme 4%
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 977,49
(ekskl. moms)
Kr. 1.221,87
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 510 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 30 - 120 | Kr. 32,583 | Kr. 977,49 | - |
| 150 - 270 | Kr. 31,052 | Kr. 931,56 | 4% |
| 300 + | Kr. 26,848 | Kr. 805,44 | 17% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 103-1991
- Producentens varenummer:
- STW26NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | MDmesh | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 165mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 60nC | |
| Portkildespænding maks. | -25V, +25V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 20.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie MDmesh | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 165mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 60nC | ||
Portkildespænding maks. -25V, +25V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.75mm | ||
Bredde 5.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 20.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 39 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 66 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 68 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2