STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- RS-varenummer:
- 111-6484
- Producentens varenummer:
- STW48N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 41,74
(ekskl. moms)
Kr. 52,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 469 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 41,74 |
| 10 - 99 | Kr. 41,21 |
| 100 + | Kr. 40,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 111-6484
- Producentens varenummer:
- STW48N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 79mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Portkildespænding maks. | -25V, +25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Højde | 20.15mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 79mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Portkildespænding maks. -25V, +25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.15mm | ||
Højde 20.15mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh DM2 serien, STMicroelectronics
MDmesh DM2 mosfet'er giver lav RDS(on) og med den forbedrede diode omvendt genopretningstid for effektivitet er denne serie optimeret til helbro faseskiftende ZVS topologier.
Høj dV/dt kapacitet for forbedret pålidelighed af system
AEC-Q101 kvalificeret
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 66 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-263, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 28 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh