STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2 Nej
- RS-varenummer:
- 168-5897
- Producentens varenummer:
- STW28N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 640,89
(ekskl. moms)
Kr. 801,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 21,363 | Kr. 640,89 |
| 60 - 120 | Kr. 17,089 | Kr. 512,67 |
| 150 + | Kr. 15,381 | Kr. 461,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-5897
- Producentens varenummer:
- STW28N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Højde | 20.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Højde 20.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MDmesh DM2 serien, STMicroelectronics
MDmesh DM2 mosfet'er giver lav RDS(on) og med den forbedrede diode omvendt genopretningstid for effektivitet er denne serie optimeret til helbro faseskiftende ZVS topologier.
Høj dV/dt kapacitet for forbedret pålidelighed af system
AEC-Q101 kvalificeret
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 22 A 650 V TO-247, MDmesh DM2 STW28N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 22 A 650 V TO-247, MDmesh M2 STW28N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 22 A 650 V TO-247, MDmesh M5 STW30N65M5
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 600 V TO-247, MDmesh DM2 STW48N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 50 A 600 V TO-247, MDmesh DM2 STW56N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 28 A 600 V TO-247, MDmesh DM2 STW35N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 66 A 600 V TO-247, MDmesh DM2 STW70N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 34 A 650 V TO-220, MDmesh DM2 STP43N60DM2
