STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 26 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M2
- RS-varenummer:
- 168-8076
- Producentens varenummer:
- STW33N60M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 657,03
(ekskl. moms)
Kr. 821,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | Kr. 21,901 | Kr. 657,03 |
| 90 - 480 | Kr. 20,151 | Kr. 604,53 |
| 510 + | Kr. 19,902 | Kr. 597,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-8076
- Producentens varenummer:
- STW33N60M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 125mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 20.15mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 125mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 20.15mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MDmesh™ M2 serien, STMicroelectronics
Et udvalg af højspændings power MOSFET fra STMicroelecronics. Med deres lave gate-ladning og fremragende udgangsegenskaber, er MDmesh M2 serien perfekt til brug i resonante switching strømforsyninger (LLC konvertere).
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 26 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 18 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 52 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 32 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 68 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3.5 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.5 A 650 V Forbedring TO-252, MDmesh M2