STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M2 Nej

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 9.988,00

(ekskl. moms)

Kr. 12.485,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 9,988Kr. 9.988,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-6550
Producentens varenummer:
STB18N60M2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-263

Serie

MDmesh M2

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

280mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

25 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

9.35 mm

Længde

10.4mm

Højde

4.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MDmesh™ M2 serien, STMicroelectronics


Et udvalg af højspændings power MOSFET fra STMicroelecronics. Med deres lave gate-ladning og fremragende udgangsegenskaber, er MDmesh M2 serien perfekt til brug i resonante switching strømforsyninger (LLC konvertere).

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links