STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M2

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 63,91

(ekskl. moms)

Kr. 79,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.745 enhed(er) afsendes fra 16. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 12,782Kr. 63,91

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
792-5707
Producentens varenummer:
STB18N60M2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-263

Serie

MDmesh M2

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

280mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

25 V

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.4mm

Højde

4.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.35 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MDmesh™ M2 serien, STMicroelectronics


Et udvalg af højspændings power MOSFET fra STMicroelecronics. Med deres lave gate-ladning og fremragende udgangsegenskaber, er MDmesh M2 serien perfekt til brug i resonante switching strømforsyninger (LLC konvertere).

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links