STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- RS-varenummer:
- 111-6480
- Producentens varenummer:
- STW28N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 20 flere for at gemme Kr. 127,90
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 68,59
(ekskl. moms)
Kr. 85,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 34,295 | Kr. 68,59 | - |
| 20 - 98 | Kr. 27,90 | Kr. 55,80 | Kr. 127,90 |
| 100 - 198 | Kr. 21,28 | Kr. 42,56 | Kr. 1.301,50 |
| 200 + | Kr. 18,85 | Kr. 37,70 | Kr. 3.089,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 111-6480
- Producentens varenummer:
- STW28N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Portkildespænding maks. | -25V, +25V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.75mm | |
| Højde | 20.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Portkildespænding maks. -25V, +25V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.75mm | ||
Højde 20.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh DM2 serien, STMicroelectronics
MDmesh DM2 mosfet'er giver lav RDS(on) og med den forbedrede diode omvendt genopretningstid for effektivitet er denne serie optimeret til helbro faseskiftende ZVS topologier.
Høj dV/dt kapacitet for forbedret pålidelighed af system
AEC-Q101 kvalificeret
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 66 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 52 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 54 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M9
- STMicroelectronics N-Kanal 32 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M2