STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- RS-varenummer:
- 111-6480
- Producentens varenummer:
- STW28N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 68,59
(ekskl. moms)
Kr. 85,738
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 34,295 | Kr. 68,59 |
| 20 - 98 | Kr. 27,90 | Kr. 55,80 |
| 100 - 198 | Kr. 21,28 | Kr. 42,56 |
| 200 + | Kr. 18,85 | Kr. 37,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 111-6480
- Producentens varenummer:
- STW28N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 20.15mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 20.15mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh DM2 serien, STMicroelectronics
MDmesh DM2 mosfet'er giver lav RDS(on) og med den forbedrede diode omvendt genopretningstid for effektivitet er denne serie optimeret til helbro faseskiftende ZVS topologier.
Høj dV/dt kapacitet for forbedret pålidelighed af system
AEC-Q101 kvalificeret
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 66 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 26 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 18 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M2