STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- RS-varenummer:
- 168-5901
- Producentens varenummer:
- STW48N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.342,65
(ekskl. moms)
Kr. 1.678,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 480 enhed(er) afsendes fra 10. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 44,755 | Kr. 1.342,65 |
| 60 - 120 | Kr. 43,606 | Kr. 1.308,18 |
| 150 + | Kr. 42,516 | Kr. 1.275,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-5901
- Producentens varenummer:
- STW48N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 79mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 20.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 79mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 20.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MDmesh DM2 serien, STMicroelectronics
MDmesh DM2 mosfet'er giver lav RDS(on) og med den forbedrede diode omvendt genopretningstid for effektivitet er denne serie optimeret til helbro faseskiftende ZVS topologier.
Høj dV/dt kapacitet for forbedret pålidelighed af system
AEC-Q101 kvalificeret
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 66 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 28 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-263, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 28 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
