STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh Nej STW34NM60N
- RS-varenummer:
- 761-0323
- Producentens varenummer:
- STW34NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 58,19
(ekskl. moms)
Kr. 72,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 19 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
- Plus 51 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 58,19 |
| 10 - 99 | Kr. 50,12 |
| 100 - 499 | Kr. 41,59 |
| 500 - 999 | Kr. 36,65 |
| 1000 + | Kr. 31,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 761-0323
- Producentens varenummer:
- STW34NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 29A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | MDmesh | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 105mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 210W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 84nC | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.75mm | |
| Højde | 20.15mm | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 29A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie MDmesh | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 105mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 210W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 84nC | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.75mm | ||
Højde 20.15mm | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 29 A 600 V TO-247, MDmesh STW34NM60N
- STMicroelectronics N-Kanal 29 A 600 V TO-220, MDmesh STP34NM60N
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V TO-247, MDmesh STW26NM60N
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V TO-247, MDmesh STW20NM60
- STMicroelectronics N-Kanal 39 A 600 V TO-247, MDmesh STW48NM60N
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 600 V TO-247, MDmesh STW45NM60
- STMicroelectronics N-Kanal 29 A 600 V TO-220FP, MDmesh STF34NM60N
- STMicroelectronics N-Kanal 68 A 600 V TO-247, MDmesh M2 STW70N60M2
