STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2 Nej
- RS-varenummer:
- 168-5902
- Producentens varenummer:
- STW56N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.675,23
(ekskl. moms)
Kr. 2.094,03
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 55,841 | Kr. 1.675,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-5902
- Producentens varenummer:
- STW56N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 360W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -5.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 90nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 20.15mm | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 360W | ||
Gennemgangsspænding Vf -5.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 90nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 20.15mm | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MDmesh DM2 serien, STMicroelectronics
MDmesh DM2 mosfet'er giver lav RDS(on) og med den forbedrede diode omvendt genopretningstid for effektivitet er denne serie optimeret til helbro faseskiftende ZVS topologier.
Høj dV/dt kapacitet for forbedret pålidelighed af system
AEC-Q101 kvalificeret
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 50 A 600 V TO-247, MDmesh DM2 STW56N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 600 V TO-247, MDmesh DM2 STW48N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 28 A 600 V TO-247, MDmesh DM2 STW35N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 66 A 600 V TO-247, MDmesh DM2 STW70N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 22 A 650 V TO-247, MDmesh DM2 STW28N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 28 A 600 V TO-220FP, MDmesh DM2 STF35N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 600 V D2PAK (TO-263), MDmesh DM2 STB18N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V TO-247, MDmesh STW26NM60N
