STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, MDmesh DM2 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 9.715,00

(ekskl. moms)

Kr. 12.144,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 9,715Kr. 9.715,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
166-0942
Producentens varenummer:
STB18N60DM2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

MDmesh DM2

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

290mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Portkildespænding maks.

25 V

Effektafsættelse maks. Pd

90W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

9.35mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

10.4 mm

Højde

4.6mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MDmesh DM2 serien, STMicroelectronics


MDmesh DM2 mosfet'er giver lav RDS(on) og med den forbedrede diode omvendt genopretningstid for effektivitet er denne serie optimeret til helbro faseskiftende ZVS topologier.

Høj dV/dt kapacitet for forbedret pålidelighed af system

AEC-Q101 kvalificeret

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links