STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, MDmesh DM2

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
166-0942
Producentens varenummer:
STB18N60DM2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-263

Serie

MDmesh DM2

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

290mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

-25V, +25V

Effektafsættelse maks. Pd

90W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

10.4mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

9.35mm

Højde

4.6mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MDmesh DM2 serien, STMicroelectronics


MDmesh DM2 mosfet'er giver lav RDS(on) og med den forbedrede diode omvendt genopretningstid for effektivitet er denne serie optimeret til helbro faseskiftende ZVS topologier.

Høj dV/dt kapacitet for forbedret pålidelighed af system

AEC-Q101 kvalificeret

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.