STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- RS-varenummer:
- 103-1992
- Producentens varenummer:
- STW28NM50N
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 918,24
(ekskl. moms)
Kr. 1.147,80
(inkl. moms)
Tilføj 30 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 210 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 30,608 | Kr. 918,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 103-1992
- Producentens varenummer:
- STW28NM50N
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | MDmesh | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 158mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 50nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 20.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie MDmesh | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 158mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 50nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 20.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 21 A 500 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 500 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 21 A 500 V Forbedring TO-220FP, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 21 A 500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 39 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh