STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, MDmesh DM2
- RS-varenummer:
- 111-6459P
- Producentens varenummer:
- STB18N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 165,76
(ekskl. moms)
Kr. 207,20
(inkl. moms)
Tilføj 35 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 95 | Kr. 16,576 |
| 100 - 495 | Kr. 13,00 |
| 500 + | Kr. 10,966 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 111-6459P
- Producentens varenummer:
- STB18N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 290mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 90W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bredde | 10.4 mm | |
| Længde | 9.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 290mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 90W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.6mm | ||
Bredde 10.4 mm | ||
Længde 9.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MDmesh DM2 serien, STMicroelectronics
MDmesh DM2 mosfet'er giver lav RDS(on) og med den forbedrede diode omvendt genopretningstid for effektivitet er denne serie optimeret til helbro faseskiftende ZVS topologier.
Høj dV/dt kapacitet for forbedret pålidelighed af system
AEC-Q101 kvalificeret