STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh DM2 Nej STF35N60DM2
- RS-varenummer:
- 111-6464
- Producentens varenummer:
- STF35N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 46,68
(ekskl. moms)
Kr. 58,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 234 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 23,34 | Kr. 46,68 |
| 10 - 98 | Kr. 22,74 | Kr. 45,48 |
| 100 - 498 | Kr. 22,14 | Kr. 44,28 |
| 500 + | Kr. 21,615 | Kr. 43,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 111-6464
- Producentens varenummer:
- STF35N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 28A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 40W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 54nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Højde | 16.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 28A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 40W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 54nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Højde 16.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh DM2 serien, STMicroelectronics
MDmesh DM2 mosfet'er giver lav RDS(on) og med den forbedrede diode omvendt genopretningstid for effektivitet er denne serie optimeret til helbro faseskiftende ZVS topologier.
Høj dV/dt kapacitet for forbedret pålidelighed af system
AEC-Q101 kvalificeret
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 28 A 600 V TO-220FP, MDmesh DM2 STF35N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 28 A 600 V TO-247, MDmesh DM2 STW35N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 21 A 650 V TO-220FP, MDmesh DM2 STF28N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 600 V TO-247, MDmesh DM2 STW48N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 50 A 600 V TO-247, MDmesh DM2 STW56N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 66 A 600 V TO-247, MDmesh DM2 STW70N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 600 V D2PAK (TO-263), MDmesh DM2 STB18N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V TO-220FP, MDmesh STP20NM60FP
