STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- RS-varenummer:
- 111-6485P
- Producentens varenummer:
- STW56N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 5 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 255,80
(ekskl. moms)
Kr. 319,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 5 - 9 | Kr. 51,16 |
| 10 - 24 | Kr. 46,15 |
| 25 - 49 | Kr. 41,59 |
| 50 + | Kr. 39,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 111-6485P
- Producentens varenummer:
- STW56N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 90nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -5.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 360W | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 20.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 90nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -5.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 360W | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 20.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MDmesh DM2 serien, STMicroelectronics
MDmesh DM2 mosfet'er giver lav RDS(on) og med den forbedrede diode omvendt genopretningstid for effektivitet er denne serie optimeret til helbro faseskiftende ZVS topologier.
Høj dV/dt kapacitet for forbedret pålidelighed af system
AEC-Q101 kvalificeret