onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 760 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-75, NTA
- RS-varenummer:
- 121-6301
- Producentens varenummer:
- NTA4151PT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.083,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.353,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 54.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | Kr. 0,361 | Kr. 1.083,00 |
| 9000 + | Kr. 0,352 | Kr. 1.056,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 121-6301
- Producentens varenummer:
- NTA4151PT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 760mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | NTA | |
| Emballagetype | SC-75 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.1nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.8mm | |
| Længde | 1.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 760mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie NTA | ||
Emballagetype SC-75 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.1nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.8mm | ||
Længde 1.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal Power MOSFET, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi Type P-Kanal 760 mA 20 V Forbedring SC-75, NTA
- onsemi Type N-Kanal 915 mA 20 V Forbedring SC-75, NTA
- onsemi Type P-Kanal 760 mA 20 V Forbedring SC-89
- Vishay Type P-Kanal 760 mA 30 V Forbedring SC-89, Si1077X
- onsemi Type P-Kanal 1.37 A 20 V Forbedring SC-70
- onsemi Type P-Kanal 1.3 A 30 V Forbedring SC-70
- ROHM Type P-Kanal 200 mA 20 V Forbedring SC-75, RE1C002ZP
- Vishay Type P-Kanal 190 A 60 V Forbedring SC-75, TrenchFET