onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 915 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-75, NTA
- RS-varenummer:
- 103-5120
- Producentens varenummer:
- NTA4153NT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.137,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.422,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 30.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 06. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | Kr. 0,379 | Kr. 1.137,00 |
| 9000 + | Kr. 0,37 | Kr. 1.110,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 103-5120
- Producentens varenummer:
- NTA4153NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 915mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SC-75 | |
| Serie | NTA | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.82nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.8mm | |
| Længde | 0.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 915mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SC-75 | ||
Serie NTA | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.82nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.8mm | ||
Længde 0.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal Power MOSFET, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 915 mA 20 V Forbedring SC-75, NTA
- onsemi Type P-Kanal 760 mA 20 V Forbedring SC-75, NTA
- onsemi Type N-Kanal 915 mA 20 V Forbedring SC-89, NTE AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 240 mA 20 V Forbedring SC-75, NTA4001N AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 150 mA 30 V Forbedring SC-75, NTA7002N AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RE1C001UN
- onsemi Type N-Kanal 115 mA 60 V Forbedring SC-89, 2N7002T
- onsemi Type N-Kanal 210 mA 50 V Forbedring SC-70, BSS138W