onsemi N-Kanal, MOSFET, 210 mA 50 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, BSS138W

Se alle MOSFET
Få rabat ved storkøb

Tilføj 500 flere for at gemme 13%

Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 100 enheder)*

Kr. 176,40

(ekskl. moms)

Kr. 220,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 300 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
Besparelse
100 - 400Kr. 1,764Kr. 176,40-
500 - 900Kr. 1,521Kr. 152,1013%
1000 +Kr. 1,319Kr. 131,9025%

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
903-4112
Elfa Distrelec varenummer:
304-44-720
Producentens varenummer:
BSS138W
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

210mA

Drain source spænding maks. Vds

50V

Serie

BSS138W

Emballagetype

SC-70

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

6Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.1nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

340mW

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

1.25mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

900μm

Længde

2mm

Bilindustristandarder

Nej

Optimeret tilstand N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


Felteffekttransistorer (FET) med optimeret tilstand er fremstillet ved hjælp af Fairchilds egenudviklede DMOS-teknologi med stor celletæthed. Denne proces med stor tæthed, der er udviklet med henblik på at minimere modstand i ledetilstand, giver en robust og pålidelig ydeevne og hurtigt skift.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.