onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 210 mA 50 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, BSS138W Nej BSS138W

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 100 enheder)*

Kr. 70,30

(ekskl. moms)

Kr. 87,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 15.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
100 - 400Kr. 0,703Kr. 70,30
500 - 900Kr. 0,606Kr. 60,60
1000 +Kr. 0,525Kr. 52,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
903-4112
Producentens varenummer:
BSS138W
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

210mA

Drain source spænding maks. Vds

50V

Emballagetype

SC-70

Serie

BSS138W

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

6Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.1nC

Effektafsættelse maks. Pd

340mW

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

2mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.9mm

Bredde

1.25 mm

Bilindustristandarder

Nej

Optimeret tilstand N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


Felteffekttransistorer (FET) med optimeret tilstand er fremstillet ved hjælp af Fairchilds egenudviklede DMOS-teknologi med stor celletæthed. Denne proces med stor tæthed, der er udviklet med henblik på at minimere modstand i ledetilstand, giver en robust og pålidelig ydeevne og hurtigt skift.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links