onsemi N-Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V, 6 ben, SOT-363 2N7002DW

Felteffekttransistorer med optimeret tilstand er fremstillet med brug af Fairchilds egenudviklede DMOS teknologi med stor celletæthed. Denne proces med stor tæthed, der er designet med henblik på at minimere modstand i ledetilstand, giver en robust og pålidelig ydeevne og hurtigt skift.

2N7002DW er en Dual N-kanal MOSFET til generelle formål. Den er udstyret med lav modstand og lav porttærskelspænding. Den er også udstyret med hurtig omskiftningshastighed og fås i en ultralille overflademonteret pakke. Denne Dual N-channel MOSFET bruges typisk til alle generelle formål, men den bruges ofte i motorstyringer og PMF'er (Power Management Functions).

• Dual N-kanal
• Lav modstand
• Laveste portgrænse
• Hurtigt skift af hastighed
• Lav indgangs- og udgangslækage

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.