onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 115 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-70

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.803,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.253,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 69.000 enhed(er) afsendes fra 20. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,601Kr. 1.803,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
166-1841
Producentens varenummer:
2N7002DW
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

115mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SC-70

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

13.5Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

150°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

200mW

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

-55°C

Længde

2mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1mm

Bredde

1.25 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

2N7002DW er en Dual N-kanal MOSFET til generelle formål. Den er udstyret med lav modstand og lav porttærskelspænding. Den er også udstyret med hurtig omskiftningshastighed og fås i en ultralille overflademonteret pakke. Denne Dual N-channel MOSFET bruges typisk til alle generelle formål, men den bruges ofte i motorstyringer og PMF'er (Power Management Functions).

Egenskaber og fordele:


• Dual N-kanal

• Lav modstand

• Laveste portgrænse

• Hurtigt skift af hastighed

• Lav indgangs- og udgangslækage

Optimeret tilstand Dobbelt MOSFET, Fairchild Semiconductor


Felteffekttransistorer med optimeret tilstand er fremstillet med brug af Fairchilds egenudviklede DMOS teknologi med stor celletæthed. Denne proces med stor tæthed, der er designet med henblik på at minimere modstand i ledetilstand, giver en robust og pålidelig ydeevne og hurtigt skift.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links