onsemi N-Kanal, MOSFET, 915 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-89, NTE AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 184-1203
- Producentens varenummer:
- NTE4153NT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 66,00
(ekskl. moms)
Kr. 82,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | Kr. 0,66 | Kr. 66,00 |
| 500 - 900 | Kr. 0,569 | Kr. 56,90 |
| 1000 + | Kr. 0,493 | Kr. 49,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 184-1203
- Producentens varenummer:
- NTE4153NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 915mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SC-89 | |
| Serie | NTE | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 950mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.82nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.8mm | |
| Længde | 1.7mm | |
| Bredde | 0.95mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 915mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SC-89 | ||
Serie NTE | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 950mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.82nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.8mm | ||
Længde 1.7mm | ||
Bredde 0.95mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Lille signal MOSFET 20 V 915 mA 230 mOhm enkelt N-kanal SC-89 med ESD-beskyttelse
Lav RDS(on) Forbedrer systemets Effektivitet
Lavspænding, 1,5 V Mærkespænding
ESD-beskyttet låge
Anvendelsesområder:
Belastnings-/Strømkontakter
Strømforsynings-konverterkredsløb
Batteristyring
Bærbare enheder som mobiltelefoner, PDA'er, digitalkameraer, personsøgere osv.