onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 915 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-89, NTE AEC-Q101 NTE4153NT1G

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 100 enheder)*

Kr. 70,30

(ekskl. moms)

Kr. 87,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.300 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
100 - 400Kr. 0,703Kr. 70,30
500 - 900Kr. 0,606Kr. 60,60
1000 +Kr. 0,525Kr. 52,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
184-1203
Producentens varenummer:
NTE4153NT1G
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

915mA

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SC-89

Serie

NTE

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

950mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.82nC

Portkildespænding maks.

6 V

Effektafsættelse maks. Pd

300mW

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

0.95 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

1.7mm

Højde

0.8mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Lille signal MOSFET 20 V 915 mA 230 mOhm enkelt N-kanal SC-89 med ESD-beskyttelse

Lav RDS(on) Forbedrer systemets Effektivitet

Lavspænding, 1,5 V Mærkespænding

ESD-beskyttet låge

Anvendelsesområder:

Belastnings-/Strømkontakter

Strømforsynings-konverterkredsløb

Batteristyring

Bærbare enheder som mobiltelefoner, PDA'er, digitalkameraer, personsøgere osv.

Relaterede links