DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 3.3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 122-3315
- Producentens varenummer:
- DMG2305UX-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 10000 enheder)*
Kr. 5.120,00
(ekskl. moms)
Kr. 6.400,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 10.000 enhed(er) afsendes fra 11. november 2026
- Plus 10.000 enhed(er) afsendes fra 03. marts 2027
- Plus 10.000 enhed(er) afsendes fra 31. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 10000 + | Kr. 0,512 | Kr. 5.120,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 122-3315
- Producentens varenummer:
- DMG2305UX-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | DMG | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.4W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.2nC | |
| Portkildespænding maks. | -8V, +8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie DMG | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.4W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.2nC | ||
Portkildespænding maks. -8V, +8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 12 V til 25 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 3.3 A 20 V Forbedring SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 3.3 A 20 V Forbedring SOT-23, DMG2305UX AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 4 A 20 V Forbedring SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 6.5 A 20 V Forbedring SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 3.3 A 20 V Forbedring SOT-23, DMP2160U AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring SOIC, DMG AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal -3.3 A -20 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 1.6 A 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101