DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 182-7104
- Producentens varenummer:
- DMG3415U-7-57
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 94,10
(ekskl. moms)
Kr. 117,60
(inkl. moms)
Tilføj 800 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 200 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | Kr. 0,941 | Kr. 94,10 |
| 200 - 400 | Kr. 0,825 | Kr. 82,50 |
| 500 - 900 | Kr. 0,66 | Kr. 66,00 |
| 1000 - 1900 | Kr. 0,598 | Kr. 59,80 |
| 2000 + | Kr. 0,549 | Kr. 54,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7104
- Producentens varenummer:
- DMG3415U-7-57
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | DMG | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 71mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.1nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 900mW | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie DMG | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 71mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.1nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 900mW | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3mm | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
ESD-beskyttet op Til 3 kV
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" Enhed.
PPAP-kapacitet
Anvendelsesområder
DC/DC-konvertere
Power Management-Funktioner
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 4 A 20 V Forbedring SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 3.3 A 20 V Forbedring SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 6.5 A 20 V Forbedring SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 1.6 A 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 3 A 60 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 90 mA 60 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 1.1 A 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
