DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 182-6879
- Producentens varenummer:
- DMG3415U-7-57
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.536,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.920,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | Kr. 0,512 | Kr. 1.536,00 |
| 9000 - 12000 | Kr. 0,492 | Kr. 1.476,00 |
| 15000 + | Kr. 0,48 | Kr. 1.440,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-6879
- Producentens varenummer:
- DMG3415U-7-57
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | DMG | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 71mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 900mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.1nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie DMG | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 71mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 900mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.1nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
ESD-beskyttet op Til 3 kV
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" Enhed.
PPAP-kapacitet
Anvendelsesområder
DC/DC-konvertere
Power Management-Funktioner
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 4 A 20 V Forbedring SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 3.3 A 20 V Forbedring SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 6.5 A 20 V Forbedring SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 35 mA 200 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 197 mA 250 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 3 A 60 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 1.6 A 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101